MAGDALA est une société d'ingénierie, qui a développé, depuis sa création, de nombreuses compétences dans le domaine de la simulation des phénomènes physiques. Ces compétences ont permis, d’une part, le développement de produits pour des marchés BtoB ou BtoC, et d’autre part, la maîtrise de l’écosystème de solutions innovantes. Ainsi, à travers les connaissances, les compétences et le savoir-faire acquient ces dernières années, MADGALA vous propose son expertise pour analyser au mieux vos problèmes et pour vous conseiller sur vos futures solutions. La liste suivante regroupe nos différents domaines d'expertise :
Dans sa volonté de développer de nouvelles technologies, MAGDALA travaille sur un système embarqué permettant la communication entre plusieurs supports et une clef USB. En effet, nous croyons à une simplification des plateformes de données à travers l'utilisation d'un système de communication unique permettant d'échanger des données rapidement, sans wifi et avec une sécurité importante. Afin de développer un tel système, MADGALA travaille en partenariat avec l'école des Mines de Saint-Etienne, campus de Gardanne. Pour plus d'informations, n'hésitez pas à nous concter .
Les enjeux énergétiques sont une priorité pour toutes sociétés travaillant dans le domaine de l'innovation. Et, MADGALA à la volonté d'être l'une des premières sociétés à repenser l'énergie localement, à l'instar de l'alimentation. Pour cela, nous développons des systèmes, à base de semi-conducteurs, permettant la récupération de l'énergie thermique. En effet, tout gradient thermique implique, dans certains matériaux, la création de potentiel électrique. MAGDALA, maîtrisant cette technologie, travaille sur des conceptions innovantes de thermopiles permettant une augmentation importante du rendement du système. Pour plus d'informations, n'hésitez pas à nous concter .
Les composants CMOS sont la base de toute la technologie informatique. Elle permet la création d'ordinateurs, smartphones, tablettes de plus en plus puissants, de caméras et de téléviseurs de plus en plus précis. Cette technologie est totalement maîtrisée sur le silicium avec des tailles de composants très fin. Cependant, l'inconvénient majeur est que les CMOS, ne peuvent travailler au-delà de 80°C, ce qui implique des environnements d'utilisation maîtrisés. Or, dans les domaines nucléaire, médical, aéronautique, spatial, il est nécessaire de travailler dans des environnements dits "sévères" (hautes températures, fortes radiations, milieux acido-basiques...). Dans ces conditions le silicium est un matériau qui ne convient plus d’utiliser. Ainsi, MAGDALA développe des systèmes (composants, circuits) permettant de travailler dans des environnements sévères avec la même efficacité que des composants CMOS en Si. Pour plus d'informations, n'hésitez pas à nous concter .
En raison d'une forte sensibilité pour ce sujet, nous ne pouvons donner de description de ce nouveau produit avant son arrivée sur le marché. Cependant, si ce sujet vous intéresse vous pouvez nous contacter afin d'échanger plus amplement. Pour plus d'informations, n'hésitez pas à nous concter .
Titre : 4H-SiC P+N UV Photodiodes for Space Applications Auteur : B. Berenguier, Laurent Ottaviani, Stéphane Biondo, Mihai Lazar, Frédéric Milesi, Olivier Palais, Frank Torregrosa, A. Lyoussi, Evgenia Kalinina, A. Lebedev Materials Science Forum, Vols. 821-823, pp. 644-647, 2015. Titre : SiC-based neutron detector in quasi-realistic working conditions: Efficiency and stability at room and high temperature under fast neutron irradiations Auteur : Raffaello Ferrone, Fatima Issa, Dora Szalkai, Axel Klix, Laurent Ottaviani, Stephane Biondo, Vanessa Vervisch, Ludo Vermeeren, Richard Saenger, Abadallah Lyoussi, Materials Science Forum, Volumes 821-823(2014), pp 863-866. Titre : Simulations of Interactions between Fast Neutrons and 4H-SiC Detectors Auteur : Stephane Biondo, Wilfried Vervisch, Laurent Ottaviani, Vanessa Vervisch, Raffaello Ferrone, Abdallah Lioussy Materials Science Forum, Volumes 821-823(2014), pp 863-866. Titre : Optical and Electrical Simulations of Solar Cell Based on Silicon and Silicon Carbide Auteur : Stéphane Biondo, Wilfried Vervsich, Laurent Ottaviani Materials Science Forum Vols. 778-780 (2014) pp 1050-1053. Titre : 4H-SiC P+N UV Photodiodes: Influence of Temperature and Irradiation Auteur : B. Bérenguier, L. Ottaviani, S. Biondo, O. Palais, M. Lazar, F. Milesi, F. Torregrosa,E. Kalinina, A. Lebedev, W. Vervisch and A. Lyoussi MRS Proceedings, Volume 1693, 2014. Titre : Thermal neutron detection enhancement by 10B implantation in silicon carbide sensor Auteur : Vanessa Vervisch, Fatima Issa, Stéphane Biondo, Laurent Ottaviani, Wilfried Vervisch, Dora Szalkai, Ludo Vermeeren, Axel Klix, Anders Hallen, Andrej Kuznetsov, Mihai Lazar and Abdallah Lyoussi MRS Proceedings, Volume 1693, 2014. Titre : Simulations of Interactions between Fast Neutrons and 4H-SiC Detectors Auteur : Stephane Biondo, Wilfried Vervisch, Laurent Ottaviani, Vanessa Vervisch, Raffaello Ferrone, Abdallah Lioussy Materials Science Forum (Volumes 821-823), 2014. Titre: Full Simulation Study of UV Photodetectors based on pn junctions in Silicon Carbide Auteurs: L. Ottaviani , W. Vervisch, S. Biondo, O. Palais. Materials Science Forum Vols. 740-742 (2013) pp 1018-1023. Titre: Full Simulation Study of UV Photodetectors Based on Pn Junctions in Silicon Carbide Auteur : Laurent Ottaviani, Wilfried Vervisch, Stephane Biondo, Olivier Palais Materials Science Forum Vols. 740-742 (2013) pp 1018-1023. Titre: Influence of the Design of UV Photodetector based on 4H-SiC on electrical characteristics: theoretical analysis and simulations. Auteurs: S. Biondo, W. Vervisch, L. Ottaviani, O. Palais. J. Appl. Phys. 111, 024506 (2012). Titre: Study of Defects generated by Standard- and Plasma– Implantation of Nitrogen Atoms in 4H-SiC Epitaxial Layers. Auteurs: L. Ottaviani, M. Kazan, S. Biondo, F. Tuomisto, F. Milesi, J. Duchaine, F. Torregrosa, O. Palais. Materials Science Forum Vol. 725 (2012) pp 41-44. Titre: 4H-SiC P+N UV Photodiodes: a Comparison between Beam and Plasma Doping Processes. Auteurs: S. Biondo, L. Ottaviani, M. Lazar, D. Planson, J. Duchaine, V. Le Borgne, M. A. El Khakani, F. Milesi, W. Vervisch, O. Palais,j and F. Torregrosa. Materials Science Forum Vol. 717-720 (2012) pp 1203-1206. Titre: Optical-electrical simulation of organic solar cells : Influence of light trapping by photonic crystal and ZnO spacer on electrical characteristics. Auteurs: Wilfried Vervisch, Guillaume Rivière, Sylvain Vedraine, Stéphane Biondo, Philippe Torchio, David Duché, Jean-Jacques Simon, Ludovic Escoubas. J. Appl. Phys. 111, 094506 (2012). Titre: Electrical characteristics of SiC UV-Photodetector device: from the p-i-n structure behaviour to the Junction Barrier Schottky structure behaviour. Auteurs: S. Biondo, M. Lazar ,L. Ottaviani,W. Vervisch, O. Palais, R. Daineche, D. Planson, F. Milesi, J. Duchaine, F. Torregrosa. Materials Science Forum Vol. 711 (2012) pp 114-117. Titre: Optical-electrical simulation of organic solar cells: excitonic modeling parameter influence on electrical characteristics. Auteurs: Wilfried Vervisch, Stephane Biondo, Guillaume Rivière, David Duché, Ludovic Escoubas, Philippe Torchio, Jean-Jacques Simon, Judikaël Le Rouzo. APPLIED PHYSICS LETTERS 98, 253306 2011. Titre: Optical and Electrical Simulation of 4H-SiC UV Photodetector by Finite Element Method. Auteurs: Stéphane Biondo, Wilfried Vervisch, Laurent Ottaviani, Olivier Palais. Materials Science Forum Vols. 679-680 (2011) pp 563-566. Titre: Implantation of Nitrogen Atoms in 4H-SiC Epitaxial Layers : a Comparison between Standard and Plasma Immersion Processes Auteurs: Ottaviani L., Biondo S., Kazan M., Palais O., Duchaine J., Milesi F., Dainèche R., Courtois B., Torregrosa F. Advanced Materials Research Vol. 324 (2011) pp. 265-268. Titre: 4H-Silicon Carbide thin junction based based UltraViolet Photodetectors. Auteurs: S.Biondo, M. Lazar, L. Ottaviani, W. Vervisch, V. Le Borgne, M. A. El Khakani, J .Duchaine, F.Milesi, O.Palais, D. Planson. Thin Solid Films, DOI information: 10.1016/j.tsf.2011.12.079. Titre: Influence of Heating and Cooling Rates of Post-Implantation Annealing Process on Al-Implanted 4H-SiC Epitaxial Samples. Auteurs: L. Ottaviani, S. Biondo, S. Morata, O. Palais, T. Sauvage, F. Torregrosa. Materials Science Forum Vols. 645-648 (2010) pp 717-72. Titre: Effect of Helium implantation on gettering and electrical properties of 4H-SiC epilayers. Auteurs: Stephane Biondo, Gabrielle Regula, Laurent Ottaviani, Olivier Palais and Bernard Pichaud. American Institute of physics Vol. 1321 (2010) pp 245-248.
Titre: Detecteur sous irradiation de particules nucleaires Inventeurs: VERVISCH WILFRIED VIVIAN ROLAND, VERVISCH EP HURTADO VANESSA LAURENCE JILL, BIONDO STEPHANE, OTTAVIANI LAURENT JAMES N° de publication : FR3038988 A1 Date de publication : 2017-01-20 Titre: Detecteur de particules realise dans un materiau semi-conducteur Inventeurs: VERVISCH WILFRIED VIVIAN ROLAND, VERVISCH EP HURTADO VANESSA LAURENCE JILL, BIONDO STEPHANE, OTTAVIANI LAURENT JAMES N° de publication : FR3051557 A1 Date de publication : 2017-11-24
